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新聞資訊
士蘭微電子LED照明驅(qū)動(dòng)兩級(jí)無頻閃隔離降本增效方案推薦
2024.04.18

在LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,不斷追求更高性能和成本效益是行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。士蘭微電子以先進(jìn)的高壓MOS工藝平臺(tái)為基礎(chǔ),以其卓越的穩(wěn)定性和成熟制造工藝,成為LED照明驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)置MOS的首選。今天,為大家推薦的是小體積、高效率、低成本的兩級(jí)無頻閃隔離LED照明驅(qū)動(dòng)方案。

以下是士蘭微電子LED驅(qū)動(dòng)照明帶來的40W(40V/1A)兩級(jí)新方案:SDH7523S+SD7863DL,此DEMO參數(shù)對(duì)比與原來方案對(duì)比一覽圖如下。

微信截圖_20240418151231.png

經(jīng)過芯片和電源方案的進(jìn)一步優(yōu)化,結(jié)合士蘭的硅材料MOS,最新方案將帶來如下更佳的提升和體驗(yàn):

* 整機(jī)和變壓器體積下降10%-30%;

整機(jī)工作效率提升≥0.3%;

輸出超寬范圍,輸出恒流負(fù)載特性優(yōu)異≤2%;

經(jīng)濟(jì)效益提升,方案成本下降≥¥1(變壓器/PCB/整機(jī)外殼/輸出電解等);

相比氮化鎵材料,硅材料多外延工藝MOS更成熟穩(wěn)定。


微信圖片_20240418151513.jpg

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后級(jí)反激PSR恒流控制器-SD786XDL系列內(nèi)置Si-MOS(硅材料MOSFET),在搭配前級(jí)APFC升壓電路,其MOS的導(dǎo)通損耗占比很小,且IC也工作在BCM臨界導(dǎo)通模式,極大的降低MOS的開關(guān)損耗,針對(duì)此點(diǎn),我們重新優(yōu)化電源設(shè)計(jì)、提高整機(jī)的工作開關(guān)頻率,極大限度發(fā)揮傳統(tǒng)Si-MOS在LED驅(qū)動(dòng)電源的應(yīng)用水平。

傳統(tǒng)Si-MOS的成熟穩(wěn)定,可保證LED驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的更加可靠。士蘭微電子將不斷結(jié)合自身的工藝平臺(tái)特點(diǎn),發(fā)揮IDM模式的優(yōu)勢(shì),為客戶帶來成熟穩(wěn)定且具有成本優(yōu)勢(shì)的解決方案。